因康热处理申请碳化硅单晶生长坩埚专利降低碳化硅单晶制作成本

　　金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，因康热处理设备（上海）有限公司申请一项名为“一种碳化硅单晶生长坩埚”的专利，公开号 CN 119145057 A，申请日期为2024年11月。

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　　专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅单晶生长坩埚，它涉及碳化硅生长设备技术领域。它包括：坩埚本体和籽晶,其中坩埚本体包含坩埚桶、坩埚锁紧环、单晶生长环和坩埚盖。本发明在检碳化硅单晶制作过程中，由于设置了单晶生长环结构，使得碳化硅单晶在坩埚内生长时，即使于坩埚内壁处结晶，也仅限于单晶生长环处结晶，从而当整个生长过程完成后，除了单晶生长环以外的坩埚部分可以继续使用，所以降低了碳化硅单晶的制作成本。

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